富士通针对PA开发CMOS逻辑高压电芯片

　　富士通微电子(Fujitsu Microelectronics)发表CMOS逻辑高电压电晶体的开发进展，此款电晶体具备高击穿电压的特性，适合支持无线装置所使用的功率放大器(PA)。

　　富士通所开发的这款45纳米CMOS电晶体，能支援10V功率输出，让电晶体能因应各种高输出规格，满足WiMAX与其他高频应用*率放大器的规格需求。此外，该新技术并实现了在同一晶粒(die)中藉由CMOS逻辑控制电路，达到单芯片整合的目标，可进而开发出高效能、低成本的功率放大器。

　　富士通开发的新电晶体结构具有多项关键特性。电晶体的汲极周围有一个「轻微掺杂汲极」(lightly doped drain；LDD)区域，覆盖在闸极上。这种设计能降低水准延伸至汲极的电场，以及延伸至闸极氧化层的电场，故能提高击穿电压。

　　电晶体通道中的杂质(dopant)，呈侧面渐层分布。这种模式能降低通道中汲极侧的掺入杂质密度，进而限制了汲极电阻的提高幅度，此电阻是导通电阻(on-resistance)的主要来源。它亦降低水准延伸至汲极的电场，进而提高击穿电压。

　　要提高CMOS电晶体击穿电压，传统的作法是拉大闸极与汲极之间的间距。这种新开发的技术比传统方法更能有效抑制导通电阻，而且不必拉大间距。此外，这种新结构技术与3.3V I/O电压的标准电晶体维持极高的相容性，因为它仅需要几个额外的步骤，以生成LDD区域以及客制化通道区域。

　　藉由采用45纳米制程技术把新型电晶体技术套用到3.3V I/O标准电晶体，富士通开发出个把击穿电压从6V提高到10V的电晶体。在电晶体结构方面，为了让新电晶体适合用在功率放大器，在震荡频率43GHz下1mm (0.6W/mm)闸极宽度达到0.6W功率输出，如此效能足以作为WiMAX的电源电晶体。

　　富士通新开发的高电压电晶体，可让业者更容易开发出具备高击穿电压、且适用在功率放大器的CMOS逻辑电晶体，将功率放大器与控制电路整合在单一芯片中，实现低成本、高效能功率放大器模组的目标。