在定义和设计新版TSE2P4M和TSE0405时,创立达科技对国内外摩托车车用电子技术趋势和摩托车用电器装备制造厂商的相关芯片需求进行了深入而广泛的调查。针对未来技术趋势及多数整机厂和电装厂的共性需求,制订了新版TSE2P4M和TSE0405的三个设计和开发方针,即首先通过自主创新的技术,开发使电装厂商能够为整机厂商今后几年的技术升级提供可持续支持的产品;第二,针对目前的主流应用实现标准化和兼容性,让电装厂商能够快速通过整车厂复杂的并导入生产;第三,提供与国际同行相当、甚至更高的性能。
新版TSE2P4M和TSE0405是利用短基区扩散层的次表面层形成G-K间较大的横向扩散电阻RGK,当可控硅的门极和阴极间加电流IG时,在RGK上产生一个电压降VR,只有当VR≥P-N结的门坎电压VR时,可控硅才会触发。这项新技术的实现,克服了目前市场上的微触发单向可控硅温度特性差、IGT离散性大、开关速度低、VTM大的弱点,有效提升性能,满足了客户的需求。
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