罗门哈斯电子材料与IBM合作开发32纳米和22纳米制程的CMP技术

　　为半导体行业提供化学机械研磨(CMP)技术的罗门哈斯公司电子材料公司，继与IBM公司签署协议共同开发为32纳米以下制程的注入提供支持的电路图案成形(patterning)材料和工艺后，近日又宣布与IBM签署了另一项联合开发协定。此项合作将专注于开发用于32纳米和22纳米技术节点的铜线和低绝缘(Low-K)介质集成的CMP工艺技术。

　　根据该协议，两家公司将制定出一个完整的CMP耗材方案来支持32纳米和22纳米制程半导体器件的大规模生产。

　　目前，罗门哈斯的研发集中在低压力研磨技术上，该技术在恶劣的条件下仍然可以实现大规模、可重演的生产。罗门哈斯提供多种特定用途的CMP耗材组合，并开发出了用于下一代技术节点的突破性技术，同时满足了器件制造商的低成本需求。

　　“随着技术越来越复杂，要成功制造器件，研磨垫和研磨液技术变得至关重要”，IBM的半导体制程技术经理Dr. Jeffrey Hedrick说，“把罗门哈斯在电子材料领域闻名的能力与IBM在CMP制程技术方面的丰富知识相结合，有助于我们应对未来CMP技术的挑战。”

　　“30年来IBM一直是我们的重要客户和合作伙伴，实际上它也是世界上把CMP技术引入到半导体制造过程的公司，”罗门哈斯电子材料部CMP技术总裁Sam Shoemaker说：“从那以后起，这种合作关系使我们一起为CMP研磨垫成功开发了好几个工业标准平台。我们希望这次与IBM的新合作能够有助于解决在铜互连方面的几个关键性问题，这些问题的解决将会惠及IBM及其客户，并终促成有益于半导体工业的技术进步。”

　　“开发用于先进技术节点的CMP耗材现在变得极为复杂，”罗门哈斯电子材料的技术官Cathie Markham解释说，“要成功研发用于32纳米和22纳米技术节点的CMP制程，需要彻底了解不同制程条件下研磨垫，研磨液和调节剂之间的相互作用。而罗门哈斯在研磨垫，聚合物，研磨液以及CMP制程方面的性，决定了罗门哈斯在开发新一代CMP制程相关技术方面拥有着的优势。”

　　双方将在IBM位于纽约的Yorktown Heights研发部门、Albany NanoTech项目基地--UAlbany NanoCollege，以及位于特拉华(Delaware)州Newark和亚里桑那(Arizona)州Phoenix的罗门哈斯研发中心开展合作。