Linear推出高速同步MOSFET驱动器LTC4443/-1

时间:2008-06-02

  凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出高速同步MOSFET驱动器LTC4443/-1,该器件用于驱动同步整流转换器拓扑中的高端和低端N沟道功率MOSFET。这个驱动器与功率MOSFET和凌力尔特公司众多DC/DC控制器之一相结合,可形成一个完整的高效率同步稳压器,以用作降压或升压型DC/DC转换器。

  这个强大的驱动器可以吸收高达5A的电流并提供高达2.4A的电流,从而非常适用于驱动大栅极电容、大电流MOSFET。LTC4443/-1还可以为较大电流应用驱动多个并联MOSFET。当驱动3000pF负载时,快速12ns上升时间和8ns下降时间限度减小了开关损耗。该器件还集成了自适应贯通保护,以防止高端和低端MOSFET同时导通,并限度缩短死区时间。该器件含有集成的自举肖特基二极管,可简化电路。

  LTC4443/-1包括一个三态PWM输入以用于电源级停机,该输入与所有具三态输出功能的多相控制器兼容。另外,该器件还有一个单独的电源,供输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配,而且在驱动器和逻辑电源端都有欠压闭锁电路。此外,该器件在6V至9.5V范围驱动高端和低端MOSFET的栅极,并在电源电压高达38V时工作。“-1”版本具有较高的6.2V VCC欠压闭锁,而不是3.2V,以用来驱动标准5V逻辑N沟道MOSFET。

  LTC4443EDD和LTC4443EDD-1都采用3mm x 3mm DFN-12封装,以1,000片为单位批量购买,每片价格为1.35美元。LTC4443IDD和LTC4443IDD-1经过测试,保证在-40℃至85℃的工作温度范围内工作,千片批购价为1.50美元。

  性能概要:LTC4443/-1

  同步N沟道MOSFET驱动器

  大驱动电流: 提供2.4A,吸收5A

  自适应贯通保护

  驱动3000pF负载时高端栅极下降时间为8ns

  驱动3000pF负载时高端栅极上升时间为12ns

  三态PWM输入用于电源级停机

  集成自举肖特基二极管

  电源电压为38V

  栅极驱动电压为6V至9.5V

  LTC4443的UVLO为3.2V

  LTC4443-1的UVLO为6.2V



  
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