Microsemi推出具有高性能和价格竞争优势的超薄紧凑型功率模块

　　这个超薄紧凑型新系列模块，相当于两个SOT227封装组合在单个SP1封装中，填补了SOT227和SP3封装产品尺寸之间的空白。SP3模块相当于四个SOT227封装的组合。

　　在Merignac, France的功率模块产品开发部总监Serge Bontemps说：“SP1封装具有的超薄扁平外廓和内部布局使得模块的寄生电感极小，因此终端用户能够获得超快半导体器件的卓越性能。我们SP1新产品系列的38个功率模块在涉及器件所占空间、电和热性能、重量以及价格的方方面面提供了多种极好的选择。”

　　Microsemi的这个新模块系列产品包括有相臂(Phase Leg)、全桥(Full Bridge)、降压(Buck)和升压(Boost)电路组合。全桥模块的发射极/源极位于底部，为使用电流传感器提供了分开的单独连接。所有的新模块都集成了一个热传感器，能对外壳的温度进行监测，并提供过热保护。

　　四种电路组合模块提供多种类型晶体管的选择：如相臂和全桥模块采用FREDFET为开关器件；降压和升压模块采用标准MOSFET，另外也可采用CoolMos, NPT和TRENCH IGBT等作为开关器件。

　　所有的 SP1封装的 MOSFET 和 FREDFET标准模块都采用Microsemi 功率产品部开发的MOS8TM 功率 MOSFET。MOSFET、FREDFET 和 CoolMos? 模块的电压范围为500V ~1200V，电流额定值范围为11A~70A@Tc=80℃。NPT和TRENCH IGBT模块的电压范围为600V~1700V，电流额定值范围为20A ~150A@Tc= 80℃。

　　虽然SP1系列产品是为工业应用所设计的标准模块，但是很容易升级它们，能承受更加苛刻的环境要求：
　　- 可用氮化铝衬底替代标准氧化铝衬底来提高热性能
　　- 可用碳化硅(SiC)二极管替代快恢复外延二极管(FRED)，来降低开关损耗或提高开关频率
　　- 可用碳化硅铝(AlSiC)基板替代标准的铜基板来减轻重量，延长在宽范围温度循环下的使用寿命

　　样品可立即获得，订货量为10K块的订货至交货的时间为8至12周。当购买数量为1000 至2500块时，价格在$13.60~$48.17之间。