单结晶体管的结构如图一a所示，在一块高电阻率的N型硅片两端制作两个电极，分别叫基极b1，和第二基极b2。在硅片的另一 侧靠近b2处制作一个PN结，并在P型半导体上引出电极e。
在图一(b)所示的等效电路中，RBB为b1和b2极间的纯电阻，称为基区电阻，其阻值一般在2-10kΩ之间。Rb2为基极b2与发射极e之间的电阻，在正常工作时，Rb1将随发射极电流大而变化。PN结的作用相当于一个二极管VD。
图一 单结晶体管的内部结构及等效电路
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