日美公司开发出高密度NAND闪存

　　日本东芝公司和美国SanDisk公司日前宣布合作开发出高密度NAND闪存，并计划分别于年内开始批量生产相关产品。

　　两家公司7日发布的新闻公报说，它们已利用43纳米工艺开发出新型16吉比特NAND闪存，其密度与利用56纳米工艺生产的同等容量NAND闪存相比要高出一倍，这意味着闪存芯片的面积可显著缩小，从而能够降低有关成本。

　　据悉，两家公司在开发高密度NAND闪存生产工艺的过程中，采用了一些新技术并调整了有关外围电路的设计，从而大幅度缩减了芯片的面积。

　　东芝公司打算今年3月开始批量生产新型16吉比特NAND闪存，然后于7月到9月间批量生产32吉比特的产品。SanDisk公司则计划于今年第二季度生产和发售这两种不同容量的新型NAND闪存。