Nand-Flash 的设计

　　·命令锁存使能（CLE），使输入的命令发送到命令寄存器。当变为高电平时，在WE上升沿命令通过IiO口锁存到命令寄存器。

　　·地址锁存使能（ALE），控制地址输入到片内的地址寄存器中，地址是在WE的上升沿被锁存的。

　　·片选使能（CE），用于器件的选择控制。在读操作、CB变为高电平时，器件返回到备用状态；然而，当器件在写操作或擦除操作过程中保持忙状态时，CE的变高将被忽略，不会返回到备用状态。

　　·写使能（WE），用于控制把命令、地址和数据在它的上升沿写入到I／O端口；而在读操作时必须保持高电平。

　　·读使能（RE），控制把数据放到I／O总线上，在它的下降沿tREA时间后数据有效； 同时使内部的列地址自动加1。

　　·I／O端口，用于命令、地址和数据的输入及读操作时的数据输出。当芯片未选中时， I／O口为高阻态。

　　·工写保护（wP），禁止写操作和擦除操作。当它有效时，内部的高压生成器将会复位。

　　·准备／忙（R／B），反映当前器件的状态。低电平时，表示写操作或擦除操作以及随机读正进行中；当它变为高电平时，表示这些操作已经完成。它采用了开漏输出结构，在芯片未选中时不会保持高阻态。