Nor-Flash 的设计

　　系统所用的Nor-Hash芯片是Intel公司的E28F128J3Fash，如图所示。128Mbit的存储空间由128个128KB（131072字节）的擦除块组成。擦除块是相互独立的，每一块的擦除操作都可以在Is内完成。每一块可以独立地被擦除100000次。这些块可以分别设定为是可锁的或是非可锁的，由一个锁定位来控制。还有一个128bit的保护寄存器可以复用。

　　图 Nor-Flash模块

　　该Hash采用25根地址线和16位数据线，可以通过nBYTE这个信号来选择是8位还是16位方式访问。该系统是采用16位方式访问的，因此该信号线接高电平，同时A0地址线不起作用，一同接高。nOE／ nWE是读写信号，由EP7312的读写控制线直接控制。Hash的片选信号有3个，它们组合后的结果如表所示。

　　表 E28F128J3 Flash片选信号

　　系统中将CE1、CE2信号接高，CEO由ARM的CS0片选线来控制。