直接总线式DRAM的操作概况

　　Direct RambuS DRAM与同步DRAM等的不同在于将指令分组后进行若干次传输。在同步DRAM的情况下，说起指令，也就是通过RAS、OAS、WE信号操纵内部定序器。而在DirectRambus DRAM的情况下，指令以及器件地址等所有都通过分组汇总，以处理器间通信的形式进行传输。
 
　　为此，Direct Rambus DRAM不存在像同步DRAM那样的地址及指令专用的引脚，因而可以减少引脚数目。
 
　　1.  分组格式
 
　　Direct Rambus DRAM的分组格式示例如图1和图2。

　　图1 Direct Rambus DRAM的分组格式（之一）

　　2.  ACT指令
 
　　这是激活（Activate）指令。与同步DRAM的ACT指令相同，是指定行地址及存储块编号、激活器件的指令，图中写为ACT a0。需要注意与同步DRAM不同的一点，就是Direct Rambus DRAM利用ROW0～ROW0（RQ5～RQ7）以分组形式进行指定。
 
　　Direct Rambus DRAM为各个器件分配器件编号（由控制寄存器设定），访问时根据该分组中的器件编号进行选择，进而指定存储块编号和行地址准各访问。行地址具有9位，需要从512根行地址中选择一根。

　　图2 Direct Rambus DRAM的分组格式（之二）

　　3.  PRER指令
 
　　这是预充电指令。它应用于指定器件编号及存储块编号、释放读出放大器以及激活其他的行地址等方面。
 
　　4.  WR指令
 
　　这是写指令。如果是读操作状态，则当然为读指令。在此，指定作为访问对象的器件地址以及开始访问的列地址（行地址在ACT指令时已经赋予）等，以便开始进行实际的存取操作。

　　5.  MSK
 
　　这是访问屏蔽指令。pPD488448因为8位宽度的数据总线具有2个系统（DQA与DQS），所以分别具有各自的屏蔽信号。
 
　　6.  PREX
 
　　这也是预充电信号。在读指令及没有字节屏蔽的写指令后，为进行扩展操作而使用COLX分组。在该COLX分组中经常使用的就是PREX指令，根据该指令，进行DRAM内部的预充电。

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