能量传输是通过具有4.9152MHz频率的正弦交变磁场来进行的。根据卡里有多少个线圈，通过一个或多个耦合线圈把能量传递到卡。终端设各必须在所有四个线圈上都产生磁场，参见图1，和图2。
图1 在非接触卡和终端里耦合区域的位置和大小
穿过H1和H2区域的交变磁场F1和F2相互之间有180°的相位差。穿过H3和比区域的交变磁场F3和F4之相互之间也同样有180°的相位差。F1和F3之间以及F2和F4之间的相位差是90°。每个磁场的强度都应足以传输至少150mW的能量到卡上。当然，卡的消耗不应大于200mW。正如说明的那样，交变磁场定义得如此复杂是为了使4个不同取向的卡都能以相同的方式感应数据传输。
图2 非接触智能卡数据传输的相位调制原理时序图（上图表示交变磁场；
下图为相应的相位状态，载频是4.9125MHz，辅助载频是307.2kHz）
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