NAND闪速存储器的自动页编程操作

　　自动页编程操作按照如下的程序进行：
 
　　①发出数据输人指令（80h）；
 
　　②地址／数据输入；
 
　　③发出自动编程指令（10h）。
 
　　图对上述流程进行了图示。在器件的内部工作中，在②中所给予的数据不是直接写人存储器中的，而是先暂时存人页缓冲器中。通过③开始送出写入指令，然后转发到②所提供的页地址处。

图 自动页编程的操作流程

　　此时，在芯片内部进行写人验证。如果正常，则恢复R／B设置为Ready状态（为高电平）后正常结束。如果由于某些异常导致写人验证未正常进行的，则在内部自动进行重试，如果重试达到所规定的次数，则将R／B设置为Ready状态的同时结束异常。