Am29F010引脚的分组如图所示。Am29F040只是地址总线增加到18根，没有NC引脚，其他方面与Am29F010完全相同。闪速存储器的操作与地址、数据、CE、OE、WE的组合如表所示。
图 Am29F01O的引脚分组
表 Am29F010A的操作模式
1. VCC／Vss
这是电源引脚。因为Am29F010和Am29F040都是＋5V单一电源工作的FlashROM，因此，给Vcc加上＋5V电压，Vss作为标准电位为0V。
2. A0～A16（地址）
A0～A16是地址引脚。虽然Am29F010是容量为1M位的闪速存储器，但由于是以DQ0～DQ7的8位为单位进行数据输入输出，因此地址就是1M位÷8位＝128K，具有17根地址线。
3. DQ0～DQ7（数据）
这是与外部进行数据传输的引脚。因为Am29F010通常是以8位为单位进行输人输出的，所以数据通常是以8位为单位进行读取与写人的。
4. CE（芯片使能）
这是器件的选择信号。只有该引脚为低电平时，下面所描述的DE及WE信号才有效。当与CPU等连接时，对CPU的高位地址进行解码，然后输人到该引脚。
当存在多个器件时，通常是CE以外的引脚全部并联，由CE引脚确定访问那个器件。
5. OE（输出使能）
只有在上面所说明的CE引脚为低电平时OE才有效。从Flash ROM读出数据时，如果OE与GE都为低电平，则一定时间后DQ0～DQ7引脚上将出现数据。因为没有表示收集有效数据的信号，所以在外围电路中，根据数据手册中的值，预测数据已被确定的时间，然后读出出现在DQ0～DQ7中的数据。
6. WE（写使能）
该引脚只是在先前说明的CE引脚为低电平时才有效。在赋予闪速存储器指令及写人数据等时，该信号与CE引脚一起同为低电平。
事实上数据是在CE及WE信号的上升沿（由低电平上升为高电平的时候）被提取到芯片内部的。
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