MC33035的3个上侧驱动输出（1、2、24脚）是集电极开路的NPN型晶体管，其吸入电流能力为50mA，耐压为40V，可用来驱动外接逆变桥上桥臂的NPN型功率晶体管和P沟道MOSFET功率管。3个下侧驱动输出（19、20、21脚）是推挽输出，电流能力为100mA，可直接驱动外接逆变桥的PNP型功率晶体管和N沟道功率MOSFET。下侧驱动输出的电源VC由18脚单独引人，与供给电机的电源Vcc分开。为配合标淮MOSFET栅漏电压不大于20V的限制，18脚上宜接一个18V稳压二极管进行钳位。
如图所示为三相全波换相波形图，它给出了输入的位置传感器信号、6个驱动输出、电机相电流对应时序图。图中第1个周期表示了无PWM的情况，而第2个周期是有50％PWM的情况。
这里的位置传感器BLDCM驱动电路的逆变桥采用MOTOROLA公司生产的MPM3003三相逆变桥功率模块，它是12脚功率封装型的三相电桥。上侧3个晶体管是导通电阻为0.28Ω的p沟道功率MOSFET管，下侧3个晶体管是导通电阻为0.15Ω的N沟道功率MOSFET管，6个管子的漏源额定电压为60V，电流为10A。各功率管均有反向续流二极管，供电电源压降为10～30V。
这种新型的MOS功率管具有比第1代MOS功率管更稳定来用的特点。首先，新型MOS功率管内部接有漏一源二极管，因此能承受更大的电流或电压变化，而第1代MOS功率管常因反向恢复二极管的过载而损坏；其次，短暂的漏一源过电压不易使其损坏；而且，MPM3003内部的MOS管栅一源间额定击穿电压为40V，而工业标准为20V。击穿电压高，不仅可提高管子对静电放电和意外的栅一源电压脉冲的承受力，而且对所有工作电压来说，栅极氧化层的工作寿命都可延长。
MPM3003还具有体积小，隔离封装等优点。与安装6个分立TO－220型MOS管子相比，MPM3003的安装简便，且所需引脚面积约小一半。MPM3003的引脚框架为镀镍铜，可减小热阻，起散热器的作用。铝衬外涂环氧树脂薄膜作绝缘层。为便于框架与铝衬连附，环氧树脂薄膜上的铜箔经过蚀刻，使其在芯片周围形成小岛，铸模前将铝衬熔到铜箔中。这种结构能降低热阻，防止陶瓷隔离材料的脆性，并降低其耗用量。
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