东芝推出面向便携式产品的业内容量的嵌入式NAND闪存

时间:2007-09-30

  东芝今天宣布公司已经研制出一种全新的嵌入式NAND闪存系列,以eMMCTM*1为标准,达到业内容量。这种16GB新产品用于手机及数码摄像机等便携式产品。东芝计划从今年第二季度开始出厂样品,从第四季度开始量产。在此之前,东芝将从本月开始出厂8GB样品,并从第三季度开始量产。

  16GB新产品在标准的小型封装内采用先进的56nm制程技术,收纳了8枚2GB的NAND芯片和控制器芯片,并带有控制功能。新的嵌入式闪存实现了同种产品业内的容量,为便携式产品带来新容量,专用控制器的集成减轻了产品生产厂商开发的负担。而且,新产品以高速存储卡规格-MMCA(MultiMediaCard Association)Ver.4.2为标准,支持标准接口,用户可以简单的嵌入产品。

  东芝基于新技术,提供1GB到16GB的5种容量的嵌入式NAND闪存系列产品。丰富的eMMCTM型产品将提供非常宽泛的新产品应用。

  为了满足带有减轻开发负担、便于系统设计集成的控制器功能的存储器需求的不断扩大,东芝已经向您提供了带有使用NAND的基本控制功能的「LBA-NANDTM*2」存储器、具有SD接口的大容量「GB-NANDTM」存储器*2。这次,东芝又增添了eMMCTM型新产品,将不断加强在本领域的地位。

 *1 eMMC是MultiMediaCard Association多媒体卡协会的注册商标
  *2 LBA-NANDTM、GB-NANDTM为东芝的注册商标。

 新产品的概要 
  型号?容量?封装?样品出货?量产时间?量产规模
  THGAM0G7D8DBAI6?16GB?169Ball FBGA?2007年6月?2007年12月?总体100万个/月
  THGAM0G6D4DBAI4?8GB?169Ball FBGA?2007年4月?2007年7月?
  THGAM0G5D2DBAI4?4GB?169Ball FBGA?2007年第4季度?2008年第1季度?
  THGAM0G4D2DBAI5?2GB?153Ball FBGA?2007年第4季度?2008年第1季度?
  THGAM0G3D1DBAI5?1GB?153Ball FBGA?2007年7月?2007年9月?
   
  *封装尺寸 : 11.5×13.0×1.3mm(153Ball)、12.0×18.0×1.3mm(169Ball)
14.0×18.0×1.5mm(只限169Ball 16GB产品)


 新产品的主要特征 

  1.内置以MMCA Ver. 4.2规定为标准的控制器,因此用户无需开发NAND闪存的控制功能(写入块管理、错误订正、驱动器软件等),从而减轻开发成本,也缩短开发时间。

  2.?根据不同用途,备有从大容量16GB到较小容量的1GB的多种产品。容量的16GB产品可以记录大约4千首(假设每首音乐为4MB)音乐数据,以128Kbps的比特速率,大约可以记录280小时的数据。

  3.?采用先进的56nm制程技术,在16GB产品中堆栈
8层2GB的芯片。


 新产品的主要规格 

  型号/容量?THGAM0G7D8DBAI6?16GB
  THGAM0G6D4DBAI4?8GB
  THGAM0G5D2DBAI4?4GB
  THGAM0G4D2DBAI5?2GB
  THGAM0G3D1DBAI5?1GB
  接口?以MMC Ver. 4.2规定为标准的HS-MMC接口
  电源电压?2.7~3.6V(存储器内核) / 1.7V~1.95V(接口)
  总线宽度?x1 / x4 / x8
  写入速度? 6MB/秒 (时序模式)
  读取速度? 15GB/秒 (时序模式)
  工作温度?-25℃~+85℃
  封装?153Ball FBGA (+16支持Ball)



  
上一篇:Vishay新型MP系列薄膜电阻分压器
下一篇:Vishay推出高频75V、2A半桥式MOSFET驱动器

免责声明: 凡注明来源本网的所有作品,均为本网合法拥有版权或有权使用的作品,欢迎转载,注明出处。非本网作品均来自互联网,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。

相关技术资料