逆变电源(一)

　　为了充分利用电网资源，做到有备无患，可使用逆变电源:在有电时，用蓄电池将部分电能储存起来;停电时，将蓄电池储存的电能逆转为交流电，供电器使用。下面介绍几种常用的逆变电源电路，供制作时参考。                              　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　      本例介绍一款采用VMOS大功率场效应晶体管和数字电路制作的逆变电源，它具有电路简单、制作方便、工作可靠等优点，适用于80W以内的负载。
　　电路工作原理
　　该逆变电源电路由低频振荡器、缓冲器和推挽放大输出电路组成，如图5-146所示。 

　　低频振荡器由非门集成电路IC内部的两个非门电路D1、D2和电阻器R1、电位器RP、电容器C组成。
　　缓冲器由IC内部的非门电路D3、D4和电阻器R2、R3组成。
　　推挽放大输出电路由VMOS大功率场效应晶体管VF1~VF4、变压器T和稳压二极管VS1、VS2组成。                   　　　　　      发光二极管VL和电阻器R5组成工作指示电路。
　　二极管VD、电阻器R4和稳压二极管VS3组成IC的供电电路。
　　接通电源开关S后，低频振荡器振荡工作，它产生5OHz振荡信号，经D3缓冲、整形后分为两路:一路经电阻器R3直接加至VF2和VF4的栅极;另一路经D4反相处理后，经R2加至VF1和VF3的栅极。
　　在振荡信号的正半周时，VF1和VF3导通工作;在振荡信号的负半周期间，VF2和VF4导通工作。该振荡信号经VF1~VF4推挽功率放大后，在T的二次绕组两端产生交流220V电压。
　　调整R1、RP1的阻值或C的容量，使振荡信号的频率为5OHz。
　　元器件选择
　　R1~R5均选用1/4W碳膜电阻器或金属膜电阻器。
　　RP选用可锁定电位器，或调好振荡频率后用固定电阻器代替。
　　C选用独石电容器或涤纶电容器。
　　VD选用1N4007型硅整流二极管。
　　VS1-VS3均选用1W硅稳压二极管。
　　VL选用φ5mm的普通发光二极管。
　　VF1~VF4均选用V75A型大功率VMOS场效应晶体管。
　　IC选用CD4069型六非门集成电路。
　　S选用触头电流为1OA的电源开关。
　　GB选用12V汽车用的铅酸蓄电池。