CMOS 图像传感器用像素级双采样存储技术

时间：2007-09-24

　　摘要:多次曝光技术是扩展CMOSAPS图像传感器动态范围较为有效的方法,但多于两次的曝光,信号处理复杂,使传感器的帧频受到限制,而像素级双采样存储技术将两次曝光采样及图像组合处理在像素内实现,在获得高动态范围的同时,可有效提高图像实时处理的速度,并且可以工作于高速同步曝光模式。
　　关键词:互补金属氧化物半导体;图像传感器;动态范围;双采样存储
1    前言
        近些年来,随着CMOS技术的飞速发展,以及持续增加的应用需求,CMOS图像传感器技术得以迅速发展。CMOS图像传感器具有高度集成化、功耗低、单一工作电压、局部像素可编程随机读取等优点。但随着应用的需要,CMOS图像传感器的动态范围有待进一步提高,如典型的CMOSAPS(ActivePixelSensor)图像传感器动态范围为65～75dB,难于满足更宽照度范围摄像场景要求。一般来说,具有较高动态范围的传感器可以探测更宽的场景照度范围,从而可以产生更多细节的图像,可以说,动态范围在一定意义上,决定着CMOS图像传感器的质量。CMOSAPS图像传感器动态范围的扩展可采用各种方法,其中多次曝光技术是一种较为有效的方法,其在获得高动态范围的同时,有较高的信噪比SNR。采用多次曝光方法,一幅场景以不同的曝光时间被摄像几次,所捕获图像用于组合成更高动态范围的图像,曝光次数愈多,信号变化范围愈均匀,但多于两次的曝光,一般需要在片上或片外存储器支持,信号处理复杂,使传感器的帧频受到限制,如果在像素内应用两次曝光采样存储的方法,可在扩展动态范围基础上,适合于高速应用场合。
2    像素级采样存储技术的工作原理

        为了扩展CMOS图像传感器的动态范围,可应用两次曝光方法,即一幅场景用长积分时间曝光和短积分时间曝光摄像两次,两幅图像组合成一幅高动态范围的图像。从理论上说,短的积分时间图像捕获了场景高照度区域,长积分时间图像在足够的积分时间后,捕获了场景低照度区域,若短曝光时间为Tint2和长曝光时间为Tint1,则传感器的动态范围增强因子DRF为:

其中,q_max是传感器的阱容,a=T_int1/_Tint2,id是暗电流。可见,当暗电流较小时,动态范围增强因子为a,同时理论分析表明双采样技术也可获得较高信噪比SNR。在CMOSAPS图像传感器中,采用传统的PD(PhotoDiode)APS像素结构,应用两次曝光方法,采用两个并行列信号处理路径实现双采样,可以同时读出两幅图像,虽然可获得宽动态范围的图像,但图像组合处理在片外执行,使得图像的实时处理速度受到一定的限制,难于满足高速应用场合的要求。
为了能够在扩展动态范围同时,且适合于高速应用场合,一种可行的方法是应用像素级采样存储技术,将曝光采样及图像组合处理在像素内实现,这样可有效提高图像的实时处理速度。为此,人们对像素级的采样存储技术进行了广泛的研究,几种可能的像素单元结构如图1所示。图1(a)中,采样保持电路中只采用MOS开关,这种结构虽然可获得较小的面积,但读出数据时,与CMOSPPS(PassivePixelSensor)像素结构类似,容易受噪声的干扰,因而SNR较差,并且读取数据后,像素内存储器C1上数据信息被毁坏,而实际应用中往往希望能够对像素数据多次读取,这需要存储电容上的电压值在读取期间保持不变,因此这种结构难于获得可接受的效果。

图1    像素级的采样存储技术:(a)只用MOS开关;(b)采用单级缓冲器;(c)采用两级缓冲器
        为了改善读出噪声,并且适合于多次读取的应用,可在存储电容C1和读出选通开关之间增加缓冲器A2,如图1(b)所示,缓冲器一般采用简单的源极跟随器配置结构,和典型的CMOSAPS像素结构相似,这可以有效改善像素的性能,但增加了像素面积。所报道的应用像素存储技术的CMOS图像传感器大多采用了这种结构,在这种结构中,在对光敏二极管上像素信息采样期间,二极管中光生电荷与存储电容C1共享,当采样开关打开时,由于MOS开关的非理想特性,导致电荷注入效应,引起采样误差,为了减小这种效应,在像素设计时,需要使光电二极管电容与存储电容的比值化,通常使两者近似相等。为了提高光生电荷的收集效率,改善SNR,一般光敏二极管有较大的电容,这使得存储电容也应当具有差不多同样的量值,而源极跟随器A2栅极节点处的寄生电容相对较小,难于满足存储电容的需要,所以通常采用CMOS工艺中可行的具有良好性能的MOS电容来增加存储电容,由于版图设计规则的要求,使像素面积有较大的增加。
        为了实现像素级的双采样和图像组合处理,可采用图1(b)类似的像素结构,首先进行长时间积分曝光,采样时,长积分时间的光生电荷在光敏二极管电容与存储电容间共享,然后进行短积分时间曝光,使长短两次积分时间曝光的光生电荷在光敏二极管内直接组合,从而获得动态范围的改善。在这种像素结构中曝光模式采用了传统的滚动曝光,而在一些工业和科学应用中,常需要对快速运动的目标或脉冲光照摄像,若采用滚动曝光模式将导致严重的运动失真,此时应采用具有同步曝光模式,即所有像素同时积分曝光,随后将信号电荷存储到像素内的采样保持电容,一直到读出。如果使这种结构像素工作于同步曝光模式,由于图像直接组合处理在光敏二极管内进行,若在像素数据读出的同时进行曝光采样将毁坏当前帧的数据,所以数据的读出和曝光不能同时进行,这将极大限制了传感器的数据处理速度。因此,这种像素双采样方法虽然可以获得动态范围的改善,但是难于应用于需要同步曝光的高速应用。
        可见要适合于同步曝光的高速应用,双采样图像的组合处理不能在光敏二极管内直接进行,而只能在像素内的存储器内进行,一种方法是在图1(b)结构的基础上在像素内增加另一路采样保持电路,如文献[14]提出的可以直接帧差读出的像素结构。但是,在这种像素结构中,需要两个较大的存储电容,使像素面积较大,这对于巨大像素阵列传感器将是难于接受的。为了能够减小存储电容所占面积,可采用图1(c)所示的结构,在光敏二极管和存储电容间增加缓冲器A1,这样在良好SNR和允许多次读取的基础上,如果存储能力能够满足应用需求,则可以采用较小的存储电容。一般,电容的存储能力与漏电流导致的电容漏电和光导致电容的放电有关,随着CMOS工艺技术的不断改善、有效光掩蔽方法应用及其它工艺技术如将PD置于阱中、采用保护环隔离PD等,使电容的存储能力得到了极大改善,使得源随器栅节点处较小寄生电容可以满足存储电容的需要。这样虽然在像素内增加了缓冲器,但不再需要面积较大的额外MOS电容,从而可能使像素面积减少。
3    像素级双采样存储技术
        一种具有双采样存储功能的像素结构如图2所示,和直接帧差输出的像素结构相类似,为了能够在像素级实现双采样存储和图像的直接组合处理,并且适合于同步曝光的高速应用,采用了两路采样保持电路,采样保持电路由采样开关和保持节点组成,采样开关作为电子曝光器控制曝光时间。但不同的是在信号采样读出均采用了缓冲器,如前所述,这使得不再需要两个额外的MOS存储电容,图2中所示存储电容表示源极跟随器栅极节点处的总寄生电容,这样有效地减少了像素面积,可以应用于巨大像素阵列情况。

图2    双采样存储的像素结构
        一般在像素设计中,所有晶体管应尽量采用相同的类型,以避免像素版图中设计规则所要求的巨大阱间距。然而当电源电压较低时,信号的摆幅将成为主要的考虑。如复位(Reset)采用NMOS晶体管,光电二极管仅能复位到VDD-V_T(V_T为阈值电压),限制了传感器的动态范围,并且随着CMOS技术的发展,特征尺寸越来越小,VDD-V_T下降很快,对动态范围影响更加显著。另一方面,随着深亚微米CMOS技术在CMOS图像传感器中的广泛采用,为在像素级采用性能更有效的功能单元提供了设计空间,因而在像素结构中复位晶体管和曝光晶体管均采用了PMOS晶体管,这不仅避免了阈值电压降的损失,改善了动态范围,并且可使光敏二极管完全复位,从而消除图像拖尾现象,这对于高速应用非常重要。这种像素结构中一个潜在的问题是信号采样级缓冲器的功耗问题,由于保持节点电容较小,因而可以使该级缓冲器偏置电流尽可能小,为了进一步减小功耗,应使其只有在采样S1和S2信号有效时激活,这样进一步减小了功耗。
        传感器工作于同步曝光模式时,像素工作时序如图3所示。Reset、S1和S2是全局信号,在经过长积分时间T_int1曝光后,S1脉冲选通,将当前帧像素阵列中光敏二极管PD所产生的信号次采样到存储节点,随后Reset对全局像素复位;再经短积分时间T_int2曝光后,S2脉冲选通,将光敏二极管产生信号二次采样到另一存储节点,之后,各行的选通信号SEL依次将像素中存储的两次采样信号差分组合输入到列放大电路读出处理,可见在像素级实现了两次曝光采样存储及图像组合处理。在当前帧像素数据读出处理的同时,开始对下一帧图像的长积分时间曝光,在当前帧像素内存储器数据完全读出后,即可进行下一帧的长积分时间采样存储,数据的读出和曝光可以同时进行,因而可获得高速实时数据处理。当然,传感器也可工作于滚动曝光模式,像素工作时序和图3所示类似,但Reset、S1和S2不再是全局信号,在当前行数据读出的同时,可对下一行像素进行曝光采样操作,也可获得较高速度的实时数据处理。此外,当两次曝光时间相等时,可很容易实现可用于运动探测的直接帧差读出模式。

图3 像素级两次曝光采样存储同步曝光时序
　　光敏二极管在积分曝光期间放电,其上电压可
表示为:

其中,ipd、idc分别是光敏二极管的光电流和暗电流,Cpd是光敏二极管电容,<是结内建电势差。可见信号电压不仅与光电流有关,也与积分时间有关。另外,实际可探测的信号电压也受读出电路电压摆幅所限制。
　　　采用0.35Lm CMOS典型工艺参数,光电二极管电容C_pd=20fF,T_int1=5ms,T_int2=64μs时,忽略暗电流的影响,双采样存储的模拟结果如图4所示,图中曝光的入射光强1相应于约10⁵fA光电流。图4(a)中,次长时间积分曝光,信号输出随着入射光强度的增加而线性增加,在强光照时信号输出达到饱和不再增加;第二次短时间积分曝光,光照较弱时,信号输出近似为零,随着光照的增强,信号输出缓慢增加,强光照射,信号输出增加显著;图4(b)中,双采样信号差分输出,由两次曝光的信号组合而成,场景较低照度区域主要由次长积分时间的曝光采样决定,场景较高照度区域主要由第二次短积分时间曝光采样决定。CMOS图像传感器的动态范围一般依赖于其可分辨的信号及可测量的信号,显然双采样组合输出扩展了传感器可测量的光强信号,从而增加了动态范围。

图4 双采样存储的模拟:(a)两次曝光采样;(b)双采样组合
另外,双采样组合读出采用了差分读出模式,在一定程度上也减小了伴随着信号的暗电流,从而进一步改善了动态范围。应注意到,双采样差分读出减小了饱和信号的幅度,并且在T_int1远大于T_int2时,像素双采样差分信号输出近似于对图像场景较高照度区域的幅度信息作灰度反转处理。像素工作的Spectres模拟结果如图5所示,其中PR是复位信号,Vpd1是被采样的光敏信号,可见较好实现了双采样存储、差分读出功能。

图5    像素的双采样存储、差分读出
4    结束语
        CMOS图像传感的动态范围对俘获的图像质量有着重要意义,多次曝光技术是扩展动态范围的有效方法之一,但多于两次的曝光,信号处理复杂,传感器的帧频受到限制,而像素级双采样存储技术将两次曝光采样及图像组合处理在像素内实现,在扩展动态范围的基础上,可有效提高图像的实时处理速度。具有两级缓冲的双采样存储的像素结构,在改善动态范围的基础上,不仅可以工作于高速同步曝光模式,也可工作于滚动曝光模式。

上一篇：特定人语音识别技术在汽车控制上的应用

下一篇：基于89S51单片机的微型热敏打印机软件设计