热敏、光敏特性演示器 (二)

本例介绍一款采用分立元器件制作的热敏、光敏特性演示器，它能直观地演示半导体材料的热敏特性和光敏特性。

电路工作原理
该热敏、光敏特性演示器电路由晶体管V1-V6、二极管VDl-VD5、发光二极管VLl-VL6、电阻器RO-R6、电位器RPl、RP2、电池GB和热敏元器件 (热敏电阻器RT或锗材料晶体管Vol），光敏元器件 (光敏电阻器RG或光敏晶体管VO2)组成，如图2-30所示。

         图2-30热敏、光敏特性演示器电路(二)

用于半导体热敏特性演示时，可在A、B两端接上热敏电阻器RT或晶体管VOl(不使用RPl)。此时RT和V01处于高阻状态，Vl-V6处于截止状态，VLl-VL6均不发光。当用电烙铁等热源对RT或V01加热时，随着RT或VOl温度的升高，VLl-VL6中点亮的发光二极管的数量也越来越多，表明该半导体材料的电阻随着温度的升高而减小。用于半导体光敏特性演示时，可在A、B两端接上光敏电阻器RG或光敏晶体管VO2(不使用RPl)。在光线较弱时，RG或VO2处于高阻状态，Vl-V6均截止，VLl-VL6均不发光。当有光线照射到RG或VO2上时，VLl-VL6中部分发光二极管被点亮。RG的阻值或VO2的导通内阻随着光线的增强而减小，VLl-VL6中发光二极管点亮的个数也随之而增多，这表明该半导体材料的电阻是随着光照强度的增大而减小。调整RPl的阻值，也可模拟演示半导体光敏特性与热敏特性。调整R陀的阻值，可改变LED显示电路的灵敏度。

元器件选择
RO选用1/2W金属膜电阻器;Rl-R6均选用1/4W金属膜电阻器。
RT选用负温度系数的热敏电阻器。
RG选用MG45系列的光敏电阻器。
RPl和RP2选用小型有机实心电位器或合成膜电位器。
VLl-VL6均选用ф5mm的红色发光二极管。
Vl-V6均选用S9013或3DG6、3DGl2、C8050等型号的硅NPN晶体管;VOl选用3AGl
或3AX3l型锗PNP晶体管;VO2选用3DU系列的光敏晶体管。