从真空管到超大规模集成电路,人类跨出了巨大的一步、半个世纪以来,电子器件的迅猛发展使其广泛应用于生活和工作的各个领域,它尤其促进了通讯和计算机产业的发展。然而,进一步小型化以及在减小能耗下提高运作速度,几乎是一种挑战、由于电子器件是基于电子在物质中的运动,在纳米区域内,量子和热的波动使它的运作变得不可靠了,人们感到了电子产业的发展极限。由于光子是以光速运动的粒子,以光子为载体的光子器件有比电子器件高得多的运行速度,光子在电介质传播每秒可以携带更多的信息,其传输带宽要远大于金属导线,并且光子受到的相互作用远小于电子,因而光子器件的能量损耗小、效率高,人们转而把目光投向了光子,提出了用光子作为信息裁体代替电子的设想。类似于电子产业中的半导体材料,光子产业中也存在着一种基础材料——光子晶体(Photonic Crystals)。
光子晶体(Photonic Crystals)是由具有不同介电常数(折射率)的材料按照某种空间有序排列的的其周期可与光波长相比的人工微结构。介电函数的周期性变化能够调制材料中光子的状态模式,使光子带隙出现,当光的频率位于光子带隙范围内,它将不能在光子晶体中的任何方向传播。因此,光子晶体也常称为光子带隙材料(Phtonic Band Gap Materials)。光子晶体将成为光电集成、光子集成、光通讯的关键性基础材料,所以光子晶体又成为“光学半导体”。它广阔的应用前景使光子晶体成为当今世界范围的一个研究热点,得到了迅速的发展。
硅材料是现代集成电路工业的基础性材料,是人类制备工艺成熟、研究深入、了解清楚的材料之一。硅的折射率较高(在波长为1.1μm 时n=3.53),满足完全光子带隙的光子晶体的要求,且硅对通信领域所采用的两个波长1.3μm和1.55μm来说是透明的,所以硅材料是制备光子晶体的良好材料。近几年硅基光电集成取得了一些突破,研究硅基光子晶体,将大大促进硅基光电集成,全光集成技术的发展。
本研究方向着重研究硅基光子晶体和二氧化硅蛋白石光子晶体的制备和性质,研究采用自组装方法获得的蛋白石胶体晶体为模板,制备硅的反蛋白石结构,理论计算表明三维周期结构只具有赝光子带隙,这种由数百纳米的单分散二氧化硅小球自组装面心密排堆积而成的反蛋白石结构具有完全的光子带隙。
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