Renesas用嵌入式DRAM开发动态TCAM

Renesas公司近日宣布一种用于开发通信设备中嵌入片内系统的TCAM的技术。对采用该技术的4.5-Mbit动态TCAM芯片的测试结果显示：芯片面积减少约60％，工作频率达143 MHz，1.1W的功率扩散以及更高的收益。这一测试结果是Renesas公司和日本Hiroshima大学联合试验得出并且在2004 IEEE的ISSCC会议上宣布。
TCAM采用以下新的技术来解决CAM存在的芯片面积大、功率扩散多以及难于提高产量的问题：

1． 管道分级搜索 (PHS)技术；

PHS技术使搜索在低电压下以足够高的速度进行，功率扩散降低了70％，匹配线和搜索线的电压只用1V；节省功率采用管道类型的搜索技术将素所划分为两个或者更多个阶段进行；

2． 改良的移位冗余电路；

采用移位冗余方法可以同时替换字线和匹配线而不增加芯片面积；布局设计可以将优先级和行解码器放置在一起进一步压缩电路面积。

3． 使用DRAM类型的内存单元。

采用DRAM类型存储单元和少量晶体管实现3.59平方微米的元件尺寸，这意味着降低工作电压。
下面是对130nm工艺制成的4.5-Mbit TCAM芯片的测试结果：

1． 减少约40％的芯片面积；

2． 143MHz频率下1.1W功率扩散，相当于减少了85％的功率扩散；

3． 预计产量将增加到普通大容量存储器的水平。