安森美半导体推出业内250伏硅肖特基器件

2004年11月22日——的一家功率分立元件供应商安森美半导体（美国纳斯达克上市代号：ONNN）推出了业内250伏 (V) 肖特基整流器，应用于等离子/LCD电视、电源、消费类和汽车电子，把原有的肖特基势垒电压超越至200V 以上。公司为了进一步扩展其高压肖特基产品系列，还推出了两款全新的200V SMC封装肖特基整流器。

安森美半导体新推出的200V和250V肖特基的无噪声运行和快速恢复时间特性，在反向恢复时间、正向电压和软度方面均优于超高速整流器。因此新款的高压肖特基器件能简化系统的设计，为日益增长的200-250V应用，如等离子电视驱动电路、汽车车体电子装置和计算机电源等，提供了更高性价比的解决方案。

安森美半导体功率分立器件产品总监Keith Nootbaar说：“自90年代初首次将肖特基势垒电压提升至200V以来，安森美半导体一直在高压肖特基硅器件。当我们的竞争对手还刚开始开发200V肖特基时，安森美半导体又在业内树立起新的250V里程碑，并计划在将来不断地提升我们的技术。”

高压肖特基整流器与超高速整流器的比较
传统上，超高速整流器应用于能量恢复、反击浪涌以及输出整流上，在这些应用中反向电压可超过200V。一个典型的应用例子是等离子电视屏幕的能量恢复电路。在此应用中，开关频率一般在250kHz左右，而峰－峰值电压超过180V。这就要求整流器具有低的正向压降和尽可能出色的开关性能。能量恢复整流器应该具有250V左右的击穿电压(以供降额使用和承受脉冲尖峰)。此项应用通常使用超高速整流器，然而安森美半导体采用先进的硅肖特基技术，开发出了更佳的方案。

Nootbaar说：“以往250V击穿电压在商用的硅肖特基整流器的性能范围之外，设计者的选择只有标准超高速、软恢复超高速或昂贵的碳化硅整流器。安森美半导体采用了先进的硅肖特基技术，成功地取得更低的正向电压(Vf < 1.0)，解决了200-250 kHz频段中的开关损耗和电磁干扰(EMI)问题。”

安森美半导体推出了下列新器件，扩展了200V及以上的整流器产品系列：
- MBR40250：40 A, 250V肖特基整流器，T0-220封装及裸片。
- MBRS4201：4 A, 200V肖特基整流器，SMC封装。
- MBRS3201：3 A, 200V肖特基整流器，SMC封装。

此等新款高压肖特基器件能消除超高速整流器在任何温度下都存在的反向恢复振荡现象。由于振荡（噪声）是导致EMI的主要原因，全新的250V肖特基技术可省去EMI滤波，也就节省了EMI滤波的成本。与之相比较，在高温下使用超高速整流器会出现较大的反向恢复振荡，因而增大了EMI，并相应增加了整个系统设计中用于滤波的成本。

这些200V和250V的肖特基器件的软度因子(tb/ta) 也大大优于超高速整流器。与具有类似电压的超高速整流器相比，肖特基器件在高温下优异的反向恢复时间(tRR)特性以及稳定性可以减少开关损耗，从而提高整个电路的效率。

新器件的10,000件批量单价在0.30美元至1美元之间。请访问https://www.onsemi.com/tech以获得更多信息。