硅-硅直接键合技术主要应用于SOI、MEMS和大功率器件,按照结构又可以分为两大类:一类是键合衬底材料,包括用于高频、抗辐射和VSIL的SOI衬底和用于大功率高压器件的类外延的疏水键合N+-N-或N+-P-衬底,发光器件衬底等;另一类是形成键合的器件结构,包括MEMS器件的各种密封腔和高压功率器件。
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