开始真不知道硅片逻辑是什么意思，我查看了《超大规模
集成电路系统导论》的部分章节后才明白他大概的意思。
下面是硅片逻辑包含的内容，供各位IC爱好者学习。
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MOSFET逻辑设计
理想
开关与布尔运算
MOSFET开关
基本的CMOS逻辑门
非门（NOT门）
CMOS或非门（NOR门）
CMOS与非门（NAND门）
CMOS复合逻辑门
结构化逻辑设计
异或门（XOR）和异或非门（XNOR）
一般化的AOI和OAI逻辑门
传输门（TG）电路
逻辑设计
时钟控制和数据流控制
参考资料
习题
------ CMOS集成电路的物理结构
集成电路工艺层
互连线的电阻和电容
MOSFET
硅的导电性
nFET和pFET
FET中的电流
栅电容的驱动
CMOS工艺层
FET阵列设计
基本门设计
复合逻辑门
一般性讨论
小结
参考资料
习题
------ CMOS集成电路的制造
硅工艺概述
本章概要
材料生长与淀积
二氧化硅
氮化硅
多晶硅
金属化
掺杂硅层
化学机械抛光
刻蚀
洁净间
CMOS工艺流程
工艺改进
设计规则
物理极限
电气规则
参考资料
第 章 物理设计的基本要素
基本概念
CAD工具
基本结构的版图
n阱
有源区
掺杂硅区
MOSFET
有源区接触
金属层
通孔和多层金属
防止闩锁现象
9 版图编辑器
单元概念
FET的尺寸确定和单位
晶体管 逻辑门的物理设计
NOT单元
与非门（NAND）和或非门（NOR）单元
复合逻辑门
关于版图的小结
设计层次化
参考资料
