.离心喷淋式化学清洗抛光硅片

系统内可按不同工艺编制贮存各种清洗工艺程序，常用工艺是：
FSI“A”工艺： SPM+APM+DHF+HPM
FSI“B”工艺： SPM+DHF+APM+HPM
FSI“C”工艺： DHF+APM+HPM
RCA工艺： APM+HPM
SPM .Only工艺： SPM
Piranha HF工艺： SPM+HF
上述工艺程序中：
SPM=H2SO4+H2O2 4：1 去有机杂质沾污
DHF=HF+D1.H2O (1-2%) 去原生氧化物，金属沾污
APM=NH4OH+ H2O2+D1.H2O 1：1：5或 0.5：1：5
去有机杂质，金属离子，颗粒沾污
HPM=HCL+ H2O2+D1.H2O 1：1：6
去金属离子Al、Fe、Ni、Na等
如再结合使用双面檫洗技术可进一步降低硅表面的颗粒沾污。