MMSZ5257BT1G的技术参数

时间：2007-04-18

产品型号:MMSZ5257BT1G
齐纳击穿电压Vz值(V):31.350
齐纳击穿电压Vz典型值(V):33
齐纳击穿电压Vz值(V):34.650
@Izt(mA):3.800
齐纳阻抗Zzt(Ω):58
功率PMax(W):0.500
芯片标识:M2
封装/温度(℃):SOD123/-55~150
价格/1片(套):￥.40

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