NTLJS3113PT1G的技术参数

时间：2007-04-18

产品型号:NTLJS3113PT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):-20
源漏极导通电阻rDS(on)(mΩ):40
漏极电流Id(on)(A):-9.500
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):DFN-6/-55~150
描述:-20V,-9.5A,uCOOLP沟道功率MOSFET
价格/1片(套):￥3.20

上一篇：NTLJF4156NT1G的技术参数

下一篇：NTLTD7900ZR2G的技术参数

免责声明: 凡注明来源本网的所有作品，均为本网合法拥有版权或有权使用的作品，欢迎转载，注明出处。非本网作品均来自互联网，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。