NTLJD2105LTBG的技术参数

时间：2007-04-18

产品型号:NTLJD2105LTBG
源漏极间雪崩电压VBR(V):-8
源漏极导通电阻rDS(on)(mΩ):50@4.5V
漏极电流Id(on)(A):4.300
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):WDFN6/-55 ~150
描述:4.3A, 8V功率MOSFET
价格/1片(套):暂无

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