NTD80N02的技术参数

时间：2007-04-18

产品型号:NTD80N02
源漏极间雪崩电压VBR(V):24
源漏极导通电阻rDS(on)(mΩ):5
漏极电流Id(on)(A):80
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPAK/-55~150
描述:80A,24V逻辑电平的功率MOSFET
价格/1片(套):￥5.42

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