NTD78N03T4G的技术参数

时间：2007-04-18

产品型号:NTD78N03T4G
源漏极间雪崩电压VBR(V):25
源漏极导通电阻rDS(on)(mΩ):6
漏极电流Id(on)(A):78
通道极性:N
封装/温度(℃):DPAK-4/-55~175
描述:25V,78A,N沟道MOSFET
价格/1片(套):暂无

免责声明: 凡注明来源本网的所有作品，均为本网合法拥有版权或有权使用的作品，欢迎转载，注明出处。非本网作品均来自互联网，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。