Atmel面向移动无线电推出硅锗前端集成电路

　　Atmel公司日前宣布推出基于硅锗(Silicon Germanium, SiGe)的新型前端集成电路(front-end IC) -- ATR0981。该器件整合了接收路径的功率放大器(PA)和低噪音放大器(LNA)。 

　　ATR0981是利用Atmel的硅锗技术制成的集成电路。由于受温度的影响较小，硅锗确保了高度可靠性和稳定性。 

　　硅锗还可提高效率，其功率附加效率(PAE)达55%，这有助于确保功率放大器的低电流消耗。总电流消耗可以通过关闭功率放大器得到降低，从而延长电池寿命。 

　　该器件输出功率可达29dBm，功率放大器的功率增益为34dB，并可以在3dB范围内进行调整。ATR0981的LNA提供极好的噪音性能，噪音系数为1.5dB，功率增益为19dB。 

　　ATR0981样品目前以无铅、环保PSSO20封装推出。购买1000件ATR0981的单价为1.20美元。