擎泰推新一代控制晶片 支援MLC、ReadyBoost

 
　　快闪记忆卡控制晶片设计公司擎宣布推出新一代记忆卡和随身碟控制晶片，支援MLC（Multi-Level Cell）NAND型Flash颗粒，包括可同时支援SD 2.0和MMC 4.2的SK6621控制晶片，以及随身碟控制晶片SK6281，擎泰表示，这2款新一代控制晶片在MLC支援度和速度上皆有不错的表现。

　　擎泰指出，目前新一代高容量SDHC记忆卡，依速度分为Class 2、4、6等级，其中Class 6为等级，而推出的新一代的控制晶片其SLC（single-level-cell）晶片，速度可到Class 6水准，在支援MLC晶片上，则可支援到Class 4的传输速度。 

　　目前整个NAND型Flash产业处于SLC和MLC製程交替期，NAND型Flash大厂三星电子（Samsung Electronics）和海力士（Hynix）针对MLC製程晶片的比重都是不断提升，控制晶片设计业者也积极针对MLC製程的支援度，推出新一代控制晶片。

　　以往支援SLC製程的晶片，其NOP（Number of Partial Program）为4次，也就是每页可以写4次，然MLC製程的NOP只能写1次，因此相对而言，支援MLC製程的控制晶片需要较严格的标准。

 　　擎泰新一代的记忆卡和随身碟控制晶片SK6621及SK6281，目前已能顺利支援主流的MLC製程，包括英特尔（Intel）、三星、东芝（Toshiba）、美光（Micron）、海力士等大厂的NAND型Flash晶片，都可顺利支援。

　　其中记忆卡控制晶片SK6621可支援MLC到Class 4水准，SLC可到Class 6的传输速度，而支援MLC亦需经过GPS厂商的，要求写入速度需至少每秒7MB；随身碟控制晶片SK6281则是达到ReadyBoost技术的速度需求，支援单颗MLC时可达每秒22MB的读取速度，以及每秒6MB的写入速度。