M-Systems与
东芝半导体(Toshiba)共同宣布，两家公司将针对
手机与消费性
电子装置提供DiskOnChip架构的新一代嵌入式高密度快闪磁盘(Embedded Flash Drive，EFD)－DOC H3。DOC H3可让装置设计者通过Toshiba的“多层单元”(multi-level cell，MLC)NAND闪存产品与M-Systems内建于固体的TrueFFS快闪管理软件，整合符合成本效益的高密度嵌入式储存装置。
DOC H3采用70纳米工艺的MLC NAND闪存盘。Toshiba与M-Systems将产品配置从原本的单一设计，转变成多
芯片设计，便可善用NAND闪存技术的发展技术，并同时缩短DOC的研发时程。而其改良式的架构设计，可降低整合软件解决方案的必要，并从内建控制器IC来管理NAND快闪媒体，以缩短客户的产品研发周期。
M-Systems与Toshiba
半导体表示，DOC H3将程序代码和资料存于同一封包中，有助于使系统设计者将闪存技术轻易地导入嵌入式储存形式；未来双方也将继续合作推出技术先进且符合成本效益的NAND快闪解决方案，以满足市场对高密度闪存与日遽增的需求。
DOC H3将供应2Gb(256MB)至16Gb(2GB)的各种容量．
