三星演示世界首款50nm 16GB NAND闪存

时间：2007-11-30

今日，三星公司对外宣布，他已经成功制造出世界上首款基于50nm工艺的16GB NAND闪存设备。该多层（MLC）的设计采用了一个4KB的页值，而非竞争产品中所采用的2KB。正因为此，新型设备的读速度比以2KB设计方式的设备要快一倍，写速度快50%。

                                             三星50nm 16Gb NAND闪存芯片
    当设计到计算机存储技术时，硬盘技术在性能上已经成为慢的选择。三星等公司正在深入研究“闪速固态盘”（SSD）技术，以替代现有高速运转盘，从而降低应用程序加载的时间。
    统硬盘相比，SSD响应快速，无需等待硬盘进行转动寻道等操作，并且也相应地降低了功耗。当未被访问时，SSD功耗为0瓦特，而在进行读写等活动时，其功耗仅为200毫瓦特。

传统硬盘是否面临“灭顶之灾”？

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    满足现在愈来愈强烈的低功耗要求，索尼和富士等公司纷纷将目光投向了三星，希望三星能为他们的移动计算机产品提供SSD。三星在Q30笔记本和Q1 UMPC上均使用了它的SSD。
    人士预测，不断增长的存储性能和更高的写入速度，将帮助三星在1008年上半年达到其生产128GB SSD的目标。
    公司表示，它的新款MLC 16Gb NAND闪存芯片将于今年季度投入批量生产。

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