美国国家半导体公司宣布推出三款全新的信号调节缓冲器，这是该公司一系列业界的 LVDS 芯片的型号。这几款缓冲器都设有传送预加重及接收均衡功能，而且即使以高达 3.125Gbps 的速度传送信号，也只有极少的抖动，功耗也比上一代的缓冲器少，是业界首系列同时具备这些优点的 LVDS 芯片。美国国家半导体将会在今年内陆续推出另外十一款具备相若功能的 LVDS 芯片产品，其中包括交叉点
开关、多路切换器/缓冲器以及分离器。
美国国家半导体的 DS25BR100、DS25BR110 及 DS25BR120 都是单通道的 LVDS 缓冲器，即使传输速度高达 3.125Gbps，仍可确保信号完整无缺。这三款芯片具有业界的 9ps 抖动 (典型值)，而且功率只有 100mW，也属于业界的水平。美国国家半导体这几款 LVDS 缓冲器能以极高速度驱动 FR-4 底板及
电缆上的信号，适用于通信设备、储存以及成像系统。例如，这几款芯片能以 2.5Gbps 的速度驱动 10 米长的 InfiniBand 电缆或 40 英吋的 FR4 底板，而均
衡器输出端的残余抖动只有 0.15UI。新一代串行数字接口 (SDI) 广播级视频路由器及家庭影院数字视觉接口 (DVI) 互连电缆也可利用这几款缓冲器加强信号强度。
这几款 LVDS 缓冲器可以提供 7kV 的静电释放保护与信号缓冲，适用於新一代的 90nm、65nm 现场可编程门阵列 (FPGA) 以及专用
集成电路 (ASIC)。
主要技术规格及特色 这几款 3.125Gbps 的 DS25BR1xx 芯片都采用 8 引脚的 LLP? 封装，并设有全差分信号路径，可确保信号完整无缺，又可大大加强信号路径的抗噪声干扰能力。DS25BR100 芯片设有两级的传送预加重及接收均衡功能，因此是
中继器的理想之选。DS25BR120 芯片设有四级的预加重，因此是理想的高性能驱动器，而 DS25BR110 芯片则设有四级的均衡功能，适宜用作高性能接收器。
LLP 封装体积小巧，大小只有 3mm x 3mm，不但可以节省电路板板面空间，而且其中的流通式引脚图可以将芯片的内部抖动减至少，使电路板的设计工作变得更为容易。这几款缓冲器都可支持 LVDS、CML 及 LVPECL 输入，而输出则全面符合 LVDS 标准。差分输入及输出端都内置 100-Ohm 的电阻，以便降低芯片输入及输出的回波损耗，减少元件数目，以及进一步将电路板板面缩至。
