东芝公司日前宣布已经成功开发出用于
手机的大容量NAND闪存新系列产品mobileLBA-NAND，可以在同一芯片中任意设定存放程序的双值区域（SLC）和保存数据用多值区域（MLC）。从8月份开始出货。
新产品是一种内置控制器的嵌入式
存储器，增加了对应于双值和多值两种方式的独特控制的产品。在一种存储器芯片上，可以以任意容量设定适合于高速写入读取的双值存储区域以及提高每个器件的数据存储量的多值存储区域(关于双值存储区域，存储器容量在2Gb、4Gb、8Gb各种新产品可以根据用途，设定到各存储器容量的值，存储器容量在16Gb、32Gb的各种新产品可以根据用途，设定到8Gb)。这样可以减少芯片层数从而节省空间，实现高密度安装及多功能化。
新产品采用标准NAND
接口，因此可以简单的从以往产品进行替换。而且，同时采用无须进行写入或消除的块管理的逻辑地址访问方式的控制功能、修正错误（ECC）处理等一系列控制。从而降低主控制器的负荷的同时，减轻新产品开发负荷。
近年来，搭载高像素拍照功能、音乐播放器功能等手机急速增加，在以往写入读取程序及通讯数据等基础上，可以保存图片及音乐数据的大容量存储器的需求越来越大。东芝在满足这些希望的同时，不断强化有助于减轻设备开发负荷的产品阵容。新产品以MCP为主要出货形态，采用和以往MCP相同的F
BGA封装。
新产品的主要特征
1．在同一存储器芯片上，可以以任意容量设定适合于高速写入读取的双值存储区域以及提高每个器件的数据存储量的多值存储区域。双值保存区域可以根据用途，设定到8Gb。(关于双值存储区域，存储器容量在2Gb、4Gb、8Gb各种新产品可以根据用途，设定到各存储器容量的值，存储器容量在16Gb、32Gb的各种新产品可以根据用途，设定到8Gb。)
2．新产品采用标准NAND接口，因此可以简单的从以往产品进行替换。
3．采用无须进行写入或消除的块管理的逻辑地址访问方式的控制功能、修正错误（ＥＣＣ）处理等一系列控制。从而降低主控制器的负荷的同时，减轻新产品开发负荷。
新产品的主要规格
接口——标准NAND闪存接口(但是，采用逻辑地址访问方式)
电源电压——控制器部分：1.7～1.95V；NAND闪存部分：1.7～1.95V或2.6～3.3V
