飞思卡尔推出LDMOS射频功率晶体管MRF6VP11KH

　　飞思卡尔半导体日前在IEEE MTT-S国际微波大会上宣布推出功率的LDMOS射频功率晶体管。

　　MRF6VP11KH 设备提供130 MHz、1 kW的脉冲射频输出功率，具有同类设备的排放效率和功率增益。

　　这种超高效率晶体管是飞思卡尔承诺为工业、科技和医疗（ISM）市场提供业界创新力的射频功率解决方案的例证。该晶体管的操作电压为50V，与双极和MOSFET 设备相比，它具有明显的优势。它能够提供核磁共振成像(MRI)系统、CO2激光器、等离子体发生器和其他系统所需的功率。

　　以空前的功率水平实现高增益，这大大减少了所需的部件数量，与传统设计相比，部件数量减少了70%。部件数量的大幅减少，使主板空间要求和制造复杂性随之降低，终使放大器成本全面降低。

　　这种晶体管在10-150 MHz之间运行。它采用飞思卡尔第六代高电压 (VHV6) LDMOS（横向扩散金属氧化物晶体管)技术，是飞思卡尔承诺向工业、科技和医疗（ISM）市场提供业界射频功率解决方案的例证。该产品组合2006年6月公布的业界的50V VHV6 LDMOS设备系列，能够满足在频率高达450 MHz的HF、VHF和UHF上操作ISM应用所需的要求。

　　MRF6VP11KH带来的好处已经超越了它作为功能强大的商用LDMOS RF晶体管的地位。MRF6VP11KH提供65%的排放功率，这对任何类型的射频功率设备都具有很高的价值。再加上高于27 dB 的增益，这样的效率水平能够大大减少放大器设计的复杂性、增益进阶、部件数量和电路板数量。

　　需要2 kW 脉冲输出功率和45 dB增益的应用通常需要1个15 W的预驱动器、2个15 W的 驱动器和8个终端放大器，此时还要使用MOSFET或双极设备，总共包括3个进阶和11台设备。但基于MRF6VP11KH的设计只需要3台设备。1个10 W LDMOS驱动器和2个 MRF6VP11KH 终端放大器能够产生同等的输出功率和更高的50 dB增益。

　　此外，对于给定功率水平，MRF6VP11KH使用50V偏置电压能够产生更高终端阻抗，这让设备更容易与放大器电路匹配。飞思卡尔符合RoHS的气泡封装热阻测评低于0.13o C/W qJC，可提供有效的热管理，并减少散热片尺寸。MRF6VP11KH 带有集成静电放电 (ESD) 保护，因而除了在电子制造中看到的日常处理外，就不再需要特别的处理。

LDMOS技术

　　MRF6VP11KH 连接飞思卡尔2006年推出的业界的50V VHV6 LDMOS 设备系列。已经投入生产的其它在10-450 MHz 运行的设备包括MRF6V2010N (10 W CW、24 dB增益和62%的效率)、MRF6V2150N (150 W CW、25 dB增益、68%的效率)和MRF6V2300N (300 W CW、25.5%和68%的效率)。

供货情况

　　飞思卡尔现在已经开始提供MRF6VP11KH样品和支持的参考设计如需了解定价信息，请联系飞思卡尔半导体、本地飞思卡尔销售办事处或飞思卡尔授权经销商。