意法半导体(ST)公司近日推出用于高性能USB2.0闪存驱动的创新双核控制器——ST72681。这种器件用于提供所期望的设计灵活性和低成本，它采用基于ST7 8位微控制器(MCU)的先进架构，以及快速16位每指令一周期输入/输出处理器，该处理器专用于闪存接口，而Reed-Solomon纠错处理器用于MLC NAND闪存器件。
通过提供高性能，甚至在配合不同品牌NAND闪存时也是如此，这款新型双核控制器芯片是面向USB端口与闪存之间接口的完整低成本交钥匙解决方案，并有一套生产工具来配合它，其中包括供应商ID (Vendor ID)、产品ID (Product ID)和用户序更号，以及LED设定、格式化、引导功能和共公/私人区域划分。
ST72681的先进架构为只有一个8位SLC (Single Level Cell) NAND闪存提供高性能读(超过12MBps)和写功能。读性能将超过20MBps，写性能将超过16MBps。此外，在512B区块编码器/解码器引擎上嵌入Reed-Solomon 4字节将会改善不工作时的硬件纠错，特别是MLC (Multi-Level Cell) NAND闪存器件。
ST72681已由USB实施论坛(USB-IF)为业界功耗(等待模式下仅为290uA，工作电流为50mA)。ST72681 USB2.0闪存驱动控制器采用小占位面积的TQFP48封装.
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