东芝宣布已经开发出一个新的GaN（Gallium nitride）功率型
场效应管（FET），用于Ku波段（12GHz到18GHz）频率范围，当输出功率为65.4W时可达14.54GHz。这一新
三极管的主要应用为载有高容量信号的卫星微波通信的基站，包括高清晰广播。东芝计划这一新的功率FET将在2007年底试销，2008年3月量产。
接近Ku波段的微波放大器的焦点在于，在这一带宽中用半导体尤其是GaN器件取代传统的
电子管，因为GaN器件可以以较高的微波频率提供有利的高功率特性。
新的功率型FET具有一个高电子迁移率
晶体管（HEMT）架构，Toshiba把这一架构优化于Ku波段，并且通过通孔技术取代电源引线接合，从而降低了寄生电感，也通过Ku波段频率为实际应用改善了匹配电路的总体设计。
不论是新器件还是更换的
电子管，雷达和卫星微波通信基站对于GaN功率FET的需求在稳定增长，东芝将会用其新的早期的商用化Ku波段功率FET来满足这些需求。
新的GaN功率FET的详细信息于2007年10月8号到12号德国慕尼黑举办的European Microwave Conference中公布。
关键特性
