韩美半导体推出新一代 HBM 生产设备

消息称三星下修明年手机生产目标量至2.29亿支

三星电子再次将存储和代工“制造与技术”分开

三星电子拟将FinFET技术引入DRAM量产

SK海力士量产321层NAND闪存，明年上半年开始供应

122TB！Solidigm推出用于AI的容量QLC eSSD，明年初开始供应

2、SK海力士16层48GB HBM3E明年实现商业化

铠侠宣布量产QLC UFS 4.0：连续读写速度4,200 MB/s、3,200 MB/s

预计今年台湾地区IC产业产值将达1652亿美元，年成长率达22%

消息称三星电子HBM3E商业化迟缓或与DRAM制程有关，或考虑重新设计1a DRAM电路2、英特尔、AMD宣布结盟力抗Arm，确保x86架构芯片兼容性

佰维存储向特定对象发行A股股票申请已被受理，募集资金不超过19亿元

消息称铠侠IPO上市由10月延迟至11月以后

三星电子、SK海力士正寻求扩大LPDDR5X供应

三星量产1Tb QLC第九代V-NAND，存储密度提升约86%

三星因难以获得客户推迟晶圆代工厂建设，将优先发展存储产线

美光科技斥资81亿新台币收购友达台南资产

三星电子上半年中国地区销售额接近翻倍

SK海力士为Waymo自动驾驶du家供应HBM2E

南亚科技：DDR4库存仍处于，7月营收创9个月来低点

SK海力士发布性能的GDDR7显存