MOSFET FDS4685 ON代理直销

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制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SO-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 8.2 A

Rds On-漏源导通电阻: 22 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: PowerTrench

高度: 1.75 mm  

长度: 4.9 mm  

系列: FDS4685  

晶体管类型: 1 P-Channel  

类型: MOSFET  

宽度: 3.9 mm  

商标: ON Semiconductor / Fairchild  

正向跨导 - 最小值: 22 S  

下降时间: 18 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 11 ns  

工厂包装数量: 2500  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 50 ns  

典型接通延迟时间: 14 ns  

单位重量: 130 mg


从目前的角度来看MOSFET的命名,事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表“metal”的第一个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极(gate electrode)使用金属作为其材料,但随著半导体技术的进步,现代的MOSFET栅极早已用多晶硅取代了金属。

MOSFET在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”(Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET),而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET,但是这些IGFET多半指的是MOSFET。

MOSFET里的氧化层位于其通道上方,依照其操作电压的不同,这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃(Å)不等,通常材料是二氧化硅(silicon dioxide,SiO2),不过有些新的进阶制程已经可以使用如氮氧化硅(silicon oxynitride,SiON)做为氧化层之用。


型号/规格

FDS4685

品牌/商标

ON(安森美)

封装形式

SO-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

中功率