MOSFET BSS169 H6327 Infineon 原装

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PG-SOT-23-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 90 mA

Rds On-漏源导通电阻: 6 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.9 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 2.1 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 360 mW

配置: Single

通道模式: Depletion

资格: AEC-Q101

封装: Cut Tape

封装: Reel

高度: 1.1 mm  

长度: 2.9 mm  

产品: MOSFET Small Signal  

系列: BSS169  

晶体管类型: 1 N-Channel  

类型: SIPMOS Small Signal Transistor  

宽度: 1.3 mm  

商标: Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值: 0.1 S  

下降时间: 27 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 2.7 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 11 ns  

典型接通延迟时间: 2.9 ns  

零件号别名: BSS169H6327XT BSS169H6327XTSA1 SP000702572  

单位重量: 8 mg

从目前的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表“metal”的第一个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料，但随著半导体技术的进步，现代的MOSFET栅极早已用多晶硅取代了金属。

MOSFET在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET，但是这些IGFET多半指的是MOSFET。

MOSFET里的氧化层位于其通道上方，依照其操作电压的不同，这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（silicon dioxide,SiO2），不过有些新的进阶制程已经可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride,SiON）做为氧化层之用。