ST可控硅是意法半导体公司（简称ST）生产的可控硅统称。可控硅，也称为晶闸管，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件。可控硅器件是一种非常重要的功率器件，可用来做高电压和高电流的控制。可控硅器件主要用在开关方面，使器件从关闭或是阻断的状态转换为开启或是导通的状态，反之亦然。可控硅器件与双极型晶体管有密切的关系，二者的传导过程皆牵涉到电子和空穴，但可控硅的开关机制和双极晶体管是不同的，且因为器件结构不同，可控硅器件有较宽广范围的电流、电压控制能力。
意法半导体（ST）成立于1987年，是意大利SGS半导体公司和法国汤姆逊半导体合并后的新企业，公司自1994年起公开上市，意法半导体股票在纽约证券交易所（交易代码：STM）、泛欧巴黎证券交易所和意大利米兰证券交易所挂牌上市。从成立之初至今，意法半导体的增长速度超过了半导体工业的整体增长速度。自2005年起，意法半导体始终是世界五大半导体公司之一。
整个集团共有员工约50,000人，拥有16个先进的研发机构、39个设计和应用中心、13个主要制造厂，并在36个国家设有78个销售办事处。
公司总部设在瑞士日内瓦，同时也是欧洲、中东和非洲地区（EMEA）市场的总部；公司的美国总部设在德克萨斯州达拉斯市的卡罗顿；亚太区总部设在新加坡；日本的业务则以东京为总部；大中国区总部设在上海，负责香港、大陆和台湾三个地区的业务。
st可控硅是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极：层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。
st可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如图1所示
当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，st可控硅使饱和导通。
由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦st可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，st可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种st可控硅是不可关断的。
由于st可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，此条件见表1
2、基本伏安特性
st可控硅的基本伏安特性见图2
图2 st可控硅基本伏安特性
（1）反向特性
当控制极开路，阳极加上反向电压时（见图3），J2结正偏，但J1、J2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流迅速增加，图3的特性开始弯曲，如特性OR段所示，弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。此时，st可控硅会发生性反向
（2）正向特性
当控制极开路，阳极上加上正向电压时（见图4），J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与普通PN结的反向特性相似，也只能流过很小电流，这叫正向阻断状态，当电压增加，图3的特性发生了弯曲，如特性OA段所示，弯曲处的是UBO叫：正向转折电压
图4 阳极加正向电压
由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后，J2结发生雪崩倍增效应，在结区产生大量的电子和空穴，电子时入N1区，空穴时入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合，同样，进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合，雪崩击穿，进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉，这样，在N1区就有电子积累，在P2区就有空穴积累，结果使P2区的电位升高，N1区的电位下降，J2结变成正偏，只要电流稍增加，电压便迅速下降，出现所谓负阻特性，见图3的虚线AB段。
这时J1、J2、J3三个结均处于正偏，st可控硅便进入正向导电状态---通态，此时，它的特性与普通的PN结正向特性相似，见图2中的BC段
st可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。
st可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。
电流
1. 额定通态电流（IT)即稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。
耐压
2. 反向重复峰值电压（VRRM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。
触发电流
3. 控制极触发电流（IGT)，俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。 额定正向平均电流 4，在规定环境温度和散热条件下，允许通过阴极和阳极的电流平均值
常用st可控硅的封装形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。
