NVRAM(Non-Volatile Random Access Memory)，即非易失性随机访问存储器 ,是指断电后仍能保持数据的一种RAM。NVRAM的数据访问速度介于易失性存储器和常规硬盘之间。和易失性存储器相比，非易失性存储器一经写入数据，就不需要外界电力来维持其记忆。因此更适于作为常规硬盘的替代品。
NVRAM主要有两种，分别是多层式存储（MLC, Multi Level Cell）及单层式存储（SLC, Single Level Cell）。两者读取速度差异不大，使用MLC颗粒的固态硬盘成本较使用SLC的低，但是写入速度较低、使用寿命也较短。
闪存是最常见的非易失性存储器。小容量的闪存可被制作成带有USB接口的移动存储设备，亦即人们常说的“闪存盘”、“优盘”。随着生产成本的下降，将多个大容量闪存模块集成在一起，制成以闪存为存储介质的固态硬盘已成为可能。
NVRAM具备DRAM与SRAM的物理优点，传输速度快，单片容量大，也具备了硬盘的（相对而言）存储的特性。
NVRAM可广泛应用于：
●汽车系统
●通讯系统
●计算机系统
●消费系统
●工业系统
随着移动设备、便携式设备和无线设备的迅猛发展，NVRAM也遇到了前所未有的好时机，并迅速走俏市场。日前，在多种NVRAM中，以闪存（Flash Memory）技术最为引人注目，并占据着NVRAM市场的霸主地位。尽管现在不同于闪存技术的其他NVRAM技术已经出现，并逐渐被一些厂商重视并看好，但在近几年内，闪存仍将以其强大的优势称霸NVRAM应用市场。
移动市场和无线市场的强大需求为NVRAM带来了市场机会，同时也对NVRAM提出了更高的要求，更快的速度、更大的容量、更高的整合度以及更低的能耗始终是NVRAM的奋斗目标，未来NVRAM跟我们的关系将更加密切。
