肖特基整流二极管

  肖特基整流二极管(SBD)是具有肖特基特性的“金属半导体结”的整流二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。以其开关速度快、整流电流大、压降低和低功耗等特性获得广泛应用,特别适用于高频整流电路和大电流整流电路。

基本原理

  在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间特别地短。因此,能制作开关二极和低压大电流整流二极管。

主要参数

  以下是部分常用肖特基二极管型号,以及耐压和整流电流值:

肖特基整流二极管的主要参数

结构原理

  肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管,而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管,近年来,采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世,这不仅可节省贵金属,大幅度降低成本,还改善了参数的一致性。

  肖特基整流管仅用一种载流子(电子)输送电荷,在势垒外侧无过剩少数载流子的积累,因此,不存在电荷储存问题(Qrr→0),使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低,一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点,能提高低压、大电流整流(或续流)电路的效率 。

整流电路模型

  微波整流天线结构示意图如图1所示,其中肖特基二极管整流电路在矩形波导管中的完整电路模型如图2所示,其中cj为结电容,R.为串联电阻,C为隔直电容,L为扼流电感.封装所引入寄生参数基本上是电抗 性的.此封装寄生电抗可以通过电路的电抗匹配技术及改进形式予以克服,因此在其等效模型中可以将这两 个参数忽略.虚线框内为肖特基二极管简化模型。

肖特基整流二极管的整流电路模型

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