非易失性存储器是断电后仍然能够保持数据的存储器，这也是与易失性存储器的区别。具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点。
新型易失性存储器分别为1.铁电存储器（FeRAM）2.磁性随机存储器（MRAM）3.相变存储器（OUM）。
FeRAM、MRAM和OUM这三种存储器与传统的半导体存储器相比有很多突出的优点，其应用远景十分诱人。近年来，人们对它们的研究己取得了可喜的进展，尤其是FeRAM己实现了初步的贸易应用。但它们要在实际应用上取得进一步重大突破，还有大量的研究工作要做。同时存储技术的发展是没有止境的，但是追求更高密度、更大带宽、更低功耗、更短延迟时间、更低本钱和更高可靠性的目标永远不会改变。
非易失性存储器的特点是在断电时不会丢失内容。闪速存储器就是一类非易失性存储器，即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息；而诸如DRAM、SRAM这类易失性存储器，当供电电源关闭时片内信息随即丢失。闪速存储器集其它类非易失性存储器的特点，与EPROM相比较，闪速存储器具有明显的优势。如在系统电可擦除和可重复编程，而不需要特殊的高电压；与EEPROM相比较，闪速存储器具有成本低、密度大的特点。
尽管目前非易失性存储器中的就是闪存，但技术却并未就此停步。生产商们正在开发多种新技术，以便使闪存也拥有像DRAM和SDRAM那样的高速、低价、寿命长等特点。 FRAM 是下一代的非易失性存储器技术，运行能耗低，在断电后能长期保存数据。它综合了RAM高速读写和ROM长期保存数据的特点。这项技术利用了铁电材料可保存信息的特点，使用工业标准的CMOS半导体存储器制造工艺来生产，直到近日才研发成功。但是，FRAM的寿命是有限的，而其读取是破坏性的，就是说一旦进行读取，FRAM中存储的数据就消失了。 MRAM 是非易失性的存储器，速度比DRAM还快。在实验室中，MRAM的写入时间可低至2.3ns。MRAM拥有无限次的读写能力，并且功耗极低，可实现瞬间开关机并能延长便携机的电池使用时间。而且，MRAM的电路比普通存储器还简单，整个芯片只需一条读出电路。但就生产成本来看，MRAM比SRAM、DRAM及闪存都高得多。 OUM 是一种非易失性存储器，可以替代低功耗的闪存。它拥有很长的读写操作寿命，并且比闪存更易集成。OUM存储单元的密度极高，读取操作完全安全，只需极低的电压和功率即可工作，同现有逻辑电路的集成也相当简单。用OUM单元制作的存储器大约可写入10亿次，这使它成为便携设备中大容量存储器的理想替代品。但是，OUM有一定的使用寿命，长期使用会出一些可靠性问题。 PFRAM 是一种塑料的、基于聚合物的非易失性存储器，通过三维堆叠技术可以得到很高的密度，但它的读写操作寿命有限。PFRAM可能会替代闪存，并且其成本只有NOR型闪存的10%左右。塑料存储器的存储潜力也相当巨大。 今后，生产聚合物存储器可能会变得像印照片一样简单，但今年才刚刚开始对这种非易失性存储器的生产工艺进行研发。PFRAM的读写次数也有限，并且其读取也是破坏性的，就像FRAM一样。
