倒装芯片在SMT(表面组装技术)行业也称为裸芯片,CSP(芯片级封装技术)是在裸芯片的基础上加上外包装形成我们常见的包装形式。而倒装芯片是没有通过CSP的外包装直接拿到SMT加工的,因为裸芯片的触电都在背面所以SMT焊接时要将芯片反过来(相对CSP)贴装焊接所以称为“倒装芯片”。
最早的表面安装技术--倒装芯片封装技术(FC)形成于20世纪60年代,同时也是最早的球栅阵列封装技术(BGA)和最早的芯片规模封装技术(CSP)。
倒装芯片封装技术为1960年IBM公司所开发,为了降低成本,提高速度,提高组件可靠性,FC使用在第1层芯片与载板接合封装,封装方式为芯片正面朝下向基板,无需引线键合,形成最短电路,降低电阻;采用金属球连接,缩小了封装尺寸,改善电性表现,解决了BGA为增加引脚数而需扩大体积的困扰。再者,FC通常应用在时脉较高的CPU或高频RF上,以获得更好的效能,与传统速度较慢的引线键合技术相比,FC更适合应用在高脚数、小型化、多功能、高速度趋势IC的产品中。
1.形成凸点技术
凸点形成技术分为几个简单的类型,即淀积金属、机械焊接、基于聚合物的胶粘剂以及别的组合物。最初的C4高铅含量焊料凸点,熔点在300℃以上,被低共熔焊料和胶粘剂代替,从而使压焊温度下降到易于有机PCB承受的范围。然而,如果低共熔焊膏作为接合材料使用,那么C4仍可用于FR-4上。
1.1 机械形成凸点技术
十多年前,IBM公司和K&S公司开发了球凸点形成工艺技术,称为柱式凸点形成技术。此工艺过程首先涉及到对铝芯片载体的球压焊技术,接着把焊丝拉到断裂点,形成有短尾部的凸点。为了在球附近形成光滑的断裂口,可使用含有1%铂的金丝。焊料和别的金属也是起作用的。很多改变是明显的,包括平面性方面的凸点精压技术和更高、更复杂的金属化的双凸点形成技术。柱式凸点形成技术,长期使用于试制形式。由于通过引线键合机获得了惊人的速度,已移入生产模式。金和金凸点及焊料凸点均被实施。Delco公司和K&S公司联合生产柱式凸点的倒装芯片产品,别的公司在不远的将来预计生产凸点芯片。
1.2 金属电镀技术
电镀技术要求首先形成总线接头,选择电镀掩模,并用于TAB的金凸点芯片技术。虽然通过在晶圆片上方汽相淀积金属,在典型状况下形成总线,但是总线必须能被清除。再者,必须提供光成像电镀保护膜,在电镀之前成像并显影。很多步骤和精确的电镀掩模工艺的要求增加了成本和不便因素。
化学镀是无掩模和无总线的方法,看上去是一种较好的方法。该技术已广泛地应用于印刷电路行业,但是化学形成凸点的技术仅仅是近年来才应用于倒装芯片的。化学镀镍,也许由于其非常精确的化学性质,已呈现为首要的且普遍的化学倒装片凸点技术工艺。如果铝没有直接与镍一起电镀,就可使用中间浸液电镀锌技术。图2示出了最普遍的镍凸点技术顺序。注意到在典型状况下,镍受到薄的、易于产生浸液的金涂层保护。形成的金毛刺适于焊接及胶粘剂压焊。
化学镀镍凸点技术工艺简单,成本低,是主要的倒装芯片凸点工艺。可利用很多方法,包括把焊料应用于凸点及液体喷注。对倒装片而言,开发化学焊料电镀技术是可行的。
1.3 聚合物凸点技术
两种各向同性的导电胶粘剂,在所有的轴上导电是均一的。各向异性的(Z轴)胶粘剂,具有间接的导电性,可应用于形成凸点芯片及压焊。因为各种胶粘剂还不能直接用在铝上,所以通常把它们应用于金焊盘。采用聚合物倒装芯片方法,在晶圆片级状况下可把导电胶用模板印刷。
2. 测试技术
IBM公司通过对测试电路有限区域焊接,测试C4产品,并用机械的方法断开临时接线。虽然由于变形,对共晶焊料凸点芯片测试和老化仍然是个问题。新的接口技术预计允许共晶凸点的测试和老化。
3. 压焊技术
共晶焊料构成的凸点,包含压焊和连接材料。用免清洗焊剂涂覆凸点,并置于板上像普通的SMD元件一样进行焊料回流。几种拾-放机可提供焊剂,使用的是“焊剂熔解轮”。仅对凸点提供焊剂是较难的,特别是当使用下填充物时,此熔解轮将被用来给凸点和导电胶提供焊膏。
不熔的芯型凸点,诸如镍凸点,要求增加连接材料作为组装工艺过程的一部分。可把焊料进行丝网印刷、模板印刷或针式分配到电路载体上,接着放置芯片并进行焊料回流。把SMD和倒装片一起装配到陶瓷上是可行的,此方法可应用于汽车电子行业。
使用印刷或分配方法可把导电胶提供给电路载体或凸点,一种令人感兴趣的方法,即聚合物浸涂芯片法(PDC)。使用装满粘附膏的“焊剂熔解轮”,在旋转盘或别的储层的外面涂覆胶粘剂,厚度略小于凸点高度。把芯片放入膏中并用粘着凸点的胶粘剂抽出,把倒装芯片置于电路上并进行胶粘剂固化。
4.下填充技术
假定描述的低成本凸点形成技术和压焊方法能够获得低成本、小尺寸和高速率,那么可靠性状况怎样呢?硅(<3×10-6/℃)和有机基板(18~50×10-6/℃)之间的热机失配状况如何?此类问题的解决方法是令人高兴的,既简单又节省成本。填入下填充物材料聚合物(如图3),下填充物是简单的被填在PCB和已压焊芯片之间的一种填充的矿物胶粘剂合成物。组装和测试之后,通过毛细作用在芯片间隙之下把液态材料进行塑流。下填充物被分配到芯片的一面或两面,产品能够在几秒钟内在典型的250密耳芯片下塑流。通过在发生初始配料处的芯片的对侧面,提供更多的下填充物,可有选择地形成凸焊缝。接着,把下填充物硬化成为加强验收等级的热循环性能结构。
把硅器件直接压焊到有机电路上将产生危险的热机应力和热机疲劳。在每个热循环阶段,PCB将比硅以更高的速率扩展并收缩。当在热循环期间发生变形时,焊接材料诸如倒装片上的焊料凸点将经历加工硬化和加工蜕化过程。通过集中应力,极低的凸点高度(1~4密耳)加重了这一问题。
在倒装片和PCB之间加入下填充物可靠性提高了一个数量级或更多。最简单的解释为,经过硬化的下填充物把板移动定位在硅芯片的移动上。低膨胀、极高模量无机硅至少在表面上成为限制有机PCB膨胀的约束力。下填充物必须是相对坚硬的、高模量的和能够把硅及PCB固定在一起的材料。下填充物的热膨胀系数应该接近于焊接材料的热膨胀系数,对焊料而言为25×10-6/℃。如果下填充物的热膨胀系数(CTE)太高或太低,都将产生垂直应力,并且焊接将失效。可通过给聚合物系统增加矿物填充剂,调整CTE。
倒装芯片是现在最常见的一种高连接密度芯片尺寸封装CSP。在FC(倒装芯片封装技术)中,芯片倒扣在封装衬底上,互连凸点阵列分布于硅片表面,取代了金属丝压焊连接,属于一种面阵列封装。与常规的引线键合相比,FC最主要的优点为:
①拥有密度的I/O 数;
②由于采用了凸点结构,互连长度大大缩短,互连线电阻、电感更小,封装的电性能得到极大地改善;
③芯片中产生的热量可通过焊料凸点直接传输到封装衬底,通常在芯片衬底都装有散热器,故芯片温度会更低。
对于较小外形和较多功能的低成本电子设备的需求继续在增长,这些快速变化的市场正在挑战着电子制造商,降低制造成本以保证可接受的利润率。倒装芯片装配被认为是推进低成本,高密度便携式电子设备的制造所必须的一项技术。倒装芯片如今在各类产品中已开始生产--构建于FR-4及光盘驱动挠曲电路上。封装技术还持续地推动着材料科学与技术的发展,全球很多家公司正在研究并开发倒装芯片技术。半导体制造商正在研究销售凸点芯片,设备制造商保证他们能够应对倒装片技术。虽然倒装芯片和别的CSP对PCB行业提出了严格的要求,但是底部结构将很快填补,赢得简易化。