动态随机存取存储器，简称动态随机存储器，英文为DRAM（Dynamic Random Access Memory），是一种依靠电容存储且须定期刷新的随机存取存储器。动态随机存取存储器具有集成度高、功耗低等优点，适合于计算机的内存。
动态随机存取存储器是一种使用场效应管栅极、电容作储存元件的MOS存储器，输入数据以动态形式予以存储。DRAM只能将数据保持很短的时间，为了保持数据，DRAM必须隔一段时间刷新（refresh）一次。如果存储单元没有被刷新，数据就会丢失。 最初，DRAM多使用于关键的存储器中。由于在现实中电容会有漏电的现象，导致电位差不足而使记忆消失，因此除非电容经常周期性地充电，否则无法确保记忆长存。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。 与SRAM相比，DRAM的优势在于结构简单——每一个位的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处理，相比之下在SRAM上一个位通常需要六个晶体管。因此，DRAM拥有非常高的密度，单位体积的容量较高，所以成本较低。但相反的，DRAM也有访问速度较慢，耗电量较大的缺点。 与大部分的随机存取存储器（RAM）一样，由于存在DRAM中的数据会在电力切断以后立刻消失，因此它属于一种易失性存储器（volatile memory）设备。
动态存储单元是由MOS管的栅极电容C和门控管组成的，利用场效应管的栅极对其衬底间的分布电容来保存信息，以存储电荷的多少，即电容端电压的高低来表示“1”和“0”。数据以电荷的形式存储在栅极电容上，电容上的电压高表示存储数据1；电容没有储存电荷，电压为0，表明存储数据0。因存在漏电，使电容存储的信息不能长久保持，为防止信息丢失，就必须定时地给电容补充电荷，这种操作称为“刷新”。
动态随机存取存储器每个存储单元所需的场效应管较少，常见的有4管、3管和单管型DRAM，因此它的集成度较高、功耗也较低，但缺点是保存在DRAM中的信息——场效应管栅极分布电容里的信息随着电容器的漏电而会逐渐消失，一般信息保存时间为2ms左右。为了保存DRAM中的信息，必须每隔1～2ms对其刷新一次。因此，采用DRAM的计算机必须配置动态刷新电路，防止信息丢失。DRAM一般用作计算机中的主存储器。
动态随机存取存储器的存储单元由硅晶片蚀刻而成，位于由记忆列（位线）和记忆行（字线）组成的阵列之中。位线和字线相交，就形成了存储单元的地址。
DRAM工作时会向选定的记忆列（CAS）发送电荷，以激活该记忆列上每个位元处的晶体管。写入数据时，记忆行线路会使电容保持应有状态。读取数据时，由灵敏放大器测定电容器中的电量水平。如果电量水平大于50%，就读取1值；否则读取0值。计数器会跟踪刷新序列，即记录下哪些行被访问过，以及访问的次序。完成全部工作所需的时间极短，需要以纳秒（十亿分之一秒）计算。存储器芯片被列为70纳秒级的意思是，该芯片读取单个存储单元并完成再充电总共需要70纳秒。
如果没有读写信息的策略作为支持，存储单元本身是毫无价值的。所以存储单元拥有一整套由其他类型的专用电路构成的底层设施。这些电路具有下列功能：
1.判别记忆行和记忆列的地址（行选址和列选址）；
2.记录刷新序列（计数器）；
3.从存储单元中读取、恢复数据（灵敏放大器）；
4.告知存储单元是否接受电荷（写保护）；
5.内存控制器要执行其他一些任务，包括识别存储器的类型、速度和容量，以及检错等等。
