双极结型晶体管

  双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor—BJT),又常称为双载子晶体管或半导体三极管。它是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件,有PNP和NPN两种组合结构。

发展历史

  1947.12.23日只点接触晶体管诞生-Bell Lab.(Bardeen、Shockley、Brattain)

  1949年提出PN结和双极结型晶体管理论-Bell Lab.(Shockley)

  1951年制造出只锗结型晶体管-Bell Lab.(Shockley)

  1956年制造出只硅结型晶体管-美得洲仪器公司(TI)

  1956年Bardeen、Shockley、Brattain获诺贝尔奖

  1956年中国制造出只锗结型晶体管-(吉林大学高鼎三)

  1970年硅平面工艺成熟,双极结型晶体管大批量生产

分类

  双极结型晶体管(BJT)种类很多,按照频率分,有高频管,低频管,按照功率分,有小、中、大功率管,按照半导体材料分,有硅管和锗管等;其构成的放大电路形式有:共发射极、共基极和共集电极放大电路。

结构

  双极结型晶体管的外部引出三个极:集电极,发射极和基极,集电极从集电区引出,发射极从发射区引出,基极从基区引出(基区在中间);BJT有放大作用,重要依靠它的发射极电流能够通过基区传输到达集电区而实现的,为了保证这一传输过程,一方面要满足内部条件,即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度,同时基区厚度要很小,另一方面要满足外部条件,即发射结要正向偏置(加正向电压)、集电结要反偏置。

工作区

  1、发射结正偏,集电结反偏,胶放大区或正向有源区。

  2、发射结正偏,集电结正偏,叫饱和区。

  3、发射结反偏,集电结反偏,胶截止区。

  4、发射结反偏,集电结正偏,胶倒置区或反向有源区。

制作

  一种双极结型晶体管元件,此元件的晶体管中的p型井区环绕在n型发射极区周围,且与发射极底部连接,用以作为一基极区。p型基极拾取区与p型基极连接,且环绕于发射极区周围。n型深井区,其与基极区底部以及n型井区的底部连接,用以作为一集电极区。n型井区环绕于基极区周围,并且与n型的深井区连接。n型集电极拾取区连接n型井区,且环绕于基极区周围。隔离结构,位于发射极区与基极区之间以及部分的基极区与部分的n型井区之间。缓冲区位于部分隔离结构下方,且与部分隔离结构共同隔离开p型基极区与n型井区。

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