GXM155R71H273KE14D 是一款由知名半导体厂商推出的高性能功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等高效率电力转换场景。其卓越的电气性能和可靠性使其成为工业级和消费级应用的理想选择。
该型号属于沟道型 MOSFET 系列，具备低导通电阻、快速开关速度以及出色的热稳定性等特点，能够在高温环境下保持稳定运行。
型号：GXM155R71H273KE14D
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：700V
最大栅极源极电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：14A
导通电阻(Rds(on))：0.71Ω（在 Vgs=10V 时）
总功耗(Ptot)：260W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少功率损耗并提高整体效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，降低电磁干扰 (EMI) 和系统复杂性。
3. 高击穿电压（Vds），确保在高压环境下的可靠性和安全性。
4. 内置反向二极管设计，有效防止寄生效应带来的问题。
5. 支持极端温度范围，适合恶劣环境下的长期使用。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保且无铅焊接兼容。
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率控制元件。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备中的高效能量转换模块。
4. 工业自动化和机器人技术中的负载切换与保护。
5. 汽车电子领域，如启动马达、电动窗户及照明控制单元。
6. 家用电器中的电源管理和负载管理功能实现。
1. IXYS 的 IXFN100N10T2（需注意其电气参数可能略有差异）
2. Infineon 的 IPP60R099PFD（适用于相似应用场景但需验证具体参数匹配情况）
3. Fairchild 的 FDP18N60（适合某些低压和中压条件下使用）
4. STMicroelectronics 的 STP17NF75（具有相近规格但需要进一步确认细节）
