IXDD415SI

参数

制造商:IXYS
  类型:Low Side
  上升时间:4.5 ns(Typ)
  下降时间:3.5 ns(Typ)
  传播延迟时间:38 ns
  电源电压(最大值):30 V
  电源电压(最小值):8 V
  电源电流:3 mA
  最大功率耗散:1000 mW
  激励器数量:2
  输出端数量:2
  输出电流:15 A(Typ)
  最大关闭延迟时间:35 ns
  最大开启延迟时间:38 ns

封装参数

封装/箱体:SOIC-28
  封装:Box
  安装风格:SMD/SMT

物理参数

最大工作温度:+85 C
  最小工作温度:-40 C

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